神经形态半导体器件实现世界最佳手写识别率

由 Yonghun Kim 博士和 Jeong-Dae Kwon 博士领导的团队使用薄层锂离子电池开发了世界上第一个具有高可靠性和高密度的神经形态设备。 该团队通过将作为锂离子电池关键组成部分的超薄锂离子与二维纳米材料相结合来实现这一目标。 该研究团队来自韩国材料科学研究所表面与纳米材料部。

神经形态半导体器件类似于大脑，具有神经元和突触，并处理和存储信息。 突触单元从神经元接收信息，以不同方式调节突触权重（连接强度），同时处理和存储数据。 突触权重的线性和对称性允许低功耗模式识别。

电荷陷阱或氧离子用于控制突触权重的传统方法。 然而，很难根据外部电场控制离子在所需方向上的运动。 研究人员通过创建一种高密度人工智能半导体设备解决了这个问题，该设备可以根据外部电场保持锂离子的流动性。 厚度为几十纳米的薄膜可以在控制晶圆厚度的同时实现精细图案化。

来源和详细信息：
https://techxplore.com/news/2023-02-neuromorphic-semiconductor-device-world-highest.html