采用 FeFET 的 AI 就绪架构使功率加倍

Hussam Arouch 开发了一种人工智能就绪架构,其功能是同类内存方法的两倍。 根据 Nature Communications 的一篇报告(“使用多级单元 FeFET 的内存中交叉开关的首次演示”),慕尼黑工业大学的教授使用称为铁电场效应晶体管(FeFET)的特殊电路应用了一种新的计算范例 )。 这可能在短短几年内对机器人技术、深度学习算法和生成人工智能很有用。

新架构允许在同一晶体管上执行数据存储和计算。 这提高了效率并减少了热量。
该芯片的性能为 885 TOPS/W。 这大大超过了目前 10-20 TOPS/W 范围内的 CMOS 芯片。 它非常适合实时无人机计算和深度学习算法。

来源和详细信息:
https://www.nanowerk.com/nanotechnology-news2/newsid=63941.php

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